RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
65
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.8
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
5.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
1699
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link