RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
54
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.3
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
18.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
3731
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
A-DATA Technology EL63I1C1624ZV 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link