RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
54
Rund um -116% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.3
1,308.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
54
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,573.5
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,308.1
18.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
371
3731
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link