RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
49
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3618
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link