RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Porównaj
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
13.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
22.8
Prędkość zapisu, GB/s
13.6
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2717
3792
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link