RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
46
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.8
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
13.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
22.8
Скорость записи, Гб/сек
13.6
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
3792
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link