RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
45
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3292
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link