RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
51
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.6
9.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
51
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
9.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2248
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link