RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.5
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
16.5
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3122
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link