RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
49
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3222
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link