RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Comparar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Pontuação geral
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,066.5
12.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
49
Por volta de -58% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,577.1
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,066.5
12.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
737
3222
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparações de RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link