RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
14.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
77
Por volta de -175% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
14.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3410
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link