RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
49
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3857
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link