RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
31
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3425
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link