RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3425
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link