RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
49
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3680
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link