RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
49
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2313
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link