RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3683
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-D8KQ9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link