RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
49
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
18.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
4114
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung M393B1G73QH0-CMA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
SK Hynix 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link