RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
49
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
20
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3395
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology C 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link