RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
49
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2493
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Intel 99P5471-013.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link