RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
94
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5.6
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
4.9
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
94
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
5.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
4.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
1334
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology M2Y1GH64TU8HD6B-AC 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link