RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2988
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9905316-175.A00LF 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
AMD AE34G1601U1 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link