RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
49
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2590
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link