RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
49
Около -48% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
14.5
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2590
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link