RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
53
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
53
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
10.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2319
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link