RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
53
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.0
2,066.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
53
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
10.1
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2319
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link