RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
49
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2987
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link