RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

总分
star star star star star
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

总分
star star star star star
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

差异 规格 评论

差异

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB 需要考虑的原因
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 16.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 13.0
    测试中的平均数值
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    33 left arrow 49
    左右 -48% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 6400
    左右 4 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    49 left arrow 33
  • 读取速度，GB/s
    4,577.1 left arrow 16.1
  • 写入速度，GB/s
    2,066.5 left arrow 13.0
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    737 left arrow 2987

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB RAM的比较

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB RAM的比较

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
内存RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
内存RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
内存RAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
内存RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
内存RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
内存RAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
内存RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CMA 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CMA 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
内存RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
内存RAM