RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
49
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2462
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT12864AA667.Y16F 1GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link