RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Porównaj
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Wynik ogólny
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
7.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.9
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2072
3650
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link