RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
54
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2163
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link