RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
62
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
3693
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair VS2GB800D2 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link