RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
62
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.6
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3693
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link