RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
62
Wokół strony -158% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2534
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link