RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
62
Wokół strony -182% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
3024
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link