RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
62
Около -182% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.2
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
22
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
17.6
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
3024
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link