RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
62
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
3372
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link