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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
总分
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
62
左右 -107% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
1,843.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
30
读取速度,GB/s
3,556.6
16.4
写入速度,GB/s
1,843.6
15.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
542
3372
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM的比较
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB RAM的比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
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