RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
62
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
3587
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CM3B8G2A1333L9 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link