RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
62
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
3587
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link