RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
62
Rund um -130% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.6
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
14.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
3587
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link