RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
62
Wokół strony -182% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
3926
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link