RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
62
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
3849
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link