RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
62
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.3
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
1617
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kllisre 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link