RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
62
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
3291
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link