RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
26
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
25
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3908
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link