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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
比较
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
总分
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
总分
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
26
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
25
读取速度,GB/s
12.8
17.4
写入速度,GB/s
9.0
16.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2143
3908
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM的比较
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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
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