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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
37
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.2
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
37
读取速度,GB/s
16.1
15.1
写入速度,GB/s
10.1
12.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3230
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
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Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
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