RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
62
Wokół strony -158% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.3
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2256
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link