RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    3 left arrow 12.7
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    24 left arrow 62
    Около -158% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    6.3 left arrow 1,843.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 6400
    Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    62 left arrow 24
  • Скорость чтения, Гб/сек
    3,556.6 left arrow 12.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,843.6 left arrow 6.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    542 left arrow 2256

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM

SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
модули RAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
модули RAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
модули RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
модули RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
модули RAM
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
модули RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
модули RAM
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
модули RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
модули RAM